遠路不須愁日暮。

全球第二大儲存型快閃記憶體東芝（Toshiba）昨（2）日宣布擴產，為次世代產品預估準備；第3季增產19奈米產品，以因應蘋果新手機和平板需求，可望為後段封測廠力成（6239）及華東帶來穩定成長動能。

東芝昨天發布新聞稿宣布，為確保NAND Flash次世代製程產品及3D記憶體的生產空間，旗下位於三重縣四日市第三座12 吋NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程，預定8月底動工興建，預計2014年夏天完工，但第二期工程的設備導入時間、量產時間、產能及生產計畫等細節，將視市場動向於日後再決定。

東芝的Feb 5第一期工程廠房主要由東芝投資興建，其中也包括東芝和美商新帝（SanDisk）合資的NAND Flash生產線。

東芝5月宣布，已開始量產19奈米製程64Gb MLC NAND Flash晶片，因本季智慧型手機業者對NAND Flash晶片需求迫切，東芝本季量產19奈米TLC NAND Flash晶片，時程規劃與三星相近，透露出東芝為因應蘋果新款智慧型手機和平板電腦搶市，決定增產相關NAND晶片，以滿足蘋果對NAND晶片需求。因應第3季增產NAND Flash，東芝在台主要後段封測廠力成近期擬招募近1,000人。


【2013/07/03 經濟日報】@


磁性記憶體 工研院開發有成


工研院開發磁性記憶體技術及推動三維晶片整合技術有成，電子與光電所所長劉軍廷表示，不僅開闢、主導新戰場，同時有助提升國內產業在產業鏈的地位。

工研院今天召開記者會，發表 3項榮獲工研院年度傑出研究與推廣服務金牌獎技術。

劉軍廷指出，工研院記憶體研發團隊投入磁性記憶體(MRAM)開發已長達10年之久，與晶圓代工龍頭台積電合作多年，並屢獲台積電最佳研發夥伴獎。

劉軍廷說，工研院開發出的垂直式自旋磁性記憶體技術，成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、可無限次讀寫及低功耗等優點。

工研院垂直式自旋磁性記憶體技術，未來將可取代動態隨機存取記憶體(DRAM)，劉軍廷表示，研究成果獲矽智財大廠Rambus青睞，雙方簽署先期技術評估合約，並獲頒工研院今年傑出研究金牌獎。

工研院推廣三維晶片整合技術也有不錯成果，獲頒工研院推廣服務金牌獎；工研院電光所組長駱韋仲表示，工研院透過與客戶的客戶合作模式，整合產、官界資源，成功籌組3D IC研發聯盟。

劉軍廷說，工研院在磁性記憶體技術研發與推廣3DIC整合技術成果，順利跳脫出業界當前不斷追逐製程微縮的膠著戰局，開闢、主導IC新戰場，並可為國內業者牽線，與國際大廠連結，提升在產業鏈地位。

工研院與台積電合作開發的超低電壓、超低功耗系統晶片設計技術，也獲頒年度傑出研究金牌獎。


【2013/06/27 中央社】@

飛思卡爾半導體公司(Freescale)率先銷售一種新型記憶體，綜合傳統記憶體的高速優點與硬碟的儲存能力，希望藉此打入規模480億美元的記憶體市場。

這種名為磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Access Memory，MRAM)的技術，可說是半導體業界十多年來追求的目標。MRAM以磁極儲存資料，斷電後依舊可以保存資料，除擁有硬碟、快閃記憶體(Flash RAM)的非揮發性(non-volatile)儲存特性，也有超越動態隨存記憶體(DRAM)的高速。

飛思卡爾10日宣布，這兩個月來已經在亞利桑納州的工廠量產容量4MB的MRAM晶片，每片建議售價為25美元，並且已經收到訂單，但飛思卡爾對買家名單保密。摩托羅拉公司(Motorola)的半導體部門在2004年獨立出來，成立飛思卡爾。

IBM、英飛凌(Infeneon)、台積電、霍尼韋爾(Honeywell)、東芝、NEC、三星與瑞薩半導體(Renesas)等廠商都在研發這項技術，IBM與英飛凌的聯合團隊在2004年試產16MB 的MRAM，台積電在2004年成功試產1MB。美光科技(Micron)、柏士半導體(Cypress)則先後退出競賽。分析師表示，研發MRAM的廠商多半對商業化時程低調以對，飛思卡爾此次商業化量產宣示，可望吸引更多廠商跟進。

MRAM被認為有潛力取代現行的DARM、SRAM以及Flash，其耐用特性初期在汽車、航太方面擁有優勢，例如應用在飛航記錄器(俗稱黑盒子)。MRAM容量未來若能進一步突破，瞬間開機的電腦將不再是難事，低耗電對於行動裝置尤其有利。

但目前而言，MRAM依舊無法與主流記憶體競爭。以DRAM來說，512MB容量的晶片只需5美元，價格遠低於MRAM。飛思卡爾不打算量產MRAM以和DRAM競爭，目標放在嵌入式系統應用，不過願意授權其他廠商量產。