遠路不須愁日暮。

DRAM市況轉佳，爾必達（Elpida）聯盟總動員，在台首座技術研發中心將於本季啟動，初期投資上看8,000萬美元（約新台幣25.4億元）
旗下瑞晶年底前全產能導入40奈米，明年布局30奈米世代；後段封測協力廠力成因先進製程訂單大增，將加碼資本支出至百億元因應。

業界解讀，爾必達聯盟串連上下游成員火力全開，揮軍40奈米以下先進製程，將與積極投入50奈米技術的美光（Micron）聯盟南科、華亞科正面交鋒，DRAM新世代製程戰火在台灣火力全開。力晶昨天股價強攻漲停，每股上漲0.28元，收4.3元。

爾必達技術長五味秀樹與瑞晶總經理陳正坤昨天共同宣布此事；身兼瑞晶董事長的力晶董事長黃崇仁因公出國未現身，由力晶副總經理兼發言人譚仲民代表出席。
五味秀樹指出，爾必達開發40奈米技術進度超前，日本廣島廠去年底完成40奈米6F2製程試產，今年將先導入6.5萬片產能生產；瑞晶則在年底前完成轉換全產能8萬片40奈米6F2製程，明年開始布局30奈米製程技術。

爾必達先進製程效應發酵，最大封測協力廠力成的角色同步吃重，今年資本支出將達百億元，比去年增加四成，主要擴增DDR3測試機台，以迎接龐大先進製程的委外封測訂單。 瑞晶現以爾必達65S奈米製程生產，去年下半年獲利約33億元，全年營收295億元，預計3月起跳過50奈米技術，直接導入40奈米製程，估計年底8萬片全產能導入所需資本支出約120億元，費用低於同業。

陳正坤指出，瑞晶現在1Gb DDR3投片比重超過七成，導入40奈米技術後，將轉進2Gb DDR3生產，每單位成本可比65奈米降五成。 他透露，瑞晶獲利能力轉強，若多頭市況延續，今年120億元資本支出單靠獲利便可支付，不需舉債。 爾必達在台技術研發中心設在瑞晶中科廠區，本季開始營運，鑽研40奈米以下先進技術，透過與日本母公司「雙軌共同研發」模式，加快製程推演。

陳正坤透露，爾必達在台研發中心，初期將在兩年內投入5,000萬到8,000萬美元，由力晶、瑞晶、爾必達三家公司一起建構80人團隊。根據之前力晶與爾必達間的共同協議，力晶日後也將陸續導入新製程技術。 他說，瑞晶現正規劃上市，本季先辦理公開發行，但細節不便透露。至於力晶積極與爾必達協商買回瑞晶股權，也仍在討論階段，暫無定案。


【經濟日報╱記者何易霖】